Chanzon IRF520 IRF520N IRF520NPBF NMOS 100V 9.7A transistor MOSFET de potencia de canal N ESD nominal A-220 (paquete de 10 piezas)

Características
Tipo de transistor: FET Transistor FET de efecto de campo de óxido de metal-semiconductor. Polaridad del transistor: transistor MOSFET de canal N. Especificación: Administre Vdss hasta 100V e Id hasta 9.7A. Aplicación: Se utiliza comúnmente para aplicaciones de conmutación de baja a media potencia, como controladores de solenoide, robótica y aplicaciones automotrices. Paquete: La bolsa antiestática ofrece protección electrostática, seguridad ESD y larga vida útil.
El número de Modelo (ItemModelNumber)
IRF520N, IRF520NPBF
Peso
3.21 Onzas
Dimensiones
7,09 x 5,91 x 0,51 pulgadas
Fabricante es CHANZON
Destacados
Tipo de transistor: FET Transistor FET de efecto de campo de óxido de metal-semiconductor., Polaridad del transistor: transistor MOSFET de canal N., Especificación: Administre Vdss hasta 100V e Id hasta 9.7A., Aplicación: Se utiliza comúnmente para aplicaciones de conmutación de baja a media potencia, como controladores de solenoide, robótica y aplicaciones automotrices., Paquete: La bolsa antiestática ofrece protección electrostática, seguridad ESD y larga vida útil.
La calificación que le dan a Chanzon IRF520 IRF520N IRF520NPBF NMOS 100V 9.7A transistor MOSFET de potencia de canal N ESD nominal A-220 (paquete de 10 piezas), 566 usuarios es de 4.7 sobre 5 estrellas.